搜索
苏州晶溯微纳科技有限公司
外延·掺杂
  • 工艺介绍
    外延一般是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，新淀积的这层称为外延层。掺杂工艺是向本征半导体材料中引入特定杂质原子，从而改变目标的物理、化学或电学特性。通过精确控制掺杂的种类、浓度和分布，可将半导体转变为 N 型（电子为多数载流子）或 P 型（空穴为多数载流子），进而构建各种半导体器件。
185 0512 2288
外延·掺杂
工艺能力
  • 离子注入：B，P，F，Al，N，Ar，H，He，Si 等
    高温氧化：1150℃
    高温扩散/退火：900℃-1100℃
    快速退火：150℃-1100℃
    注入角度：±11°
    晶圆尺寸：最大6寸
    配套设备：快速退火炉，高温氧化扩散炉，高温退火炉
Copyright ©  苏州晶溯微纳科技有限公司 版权所有 备案号：苏ICP备2025173942号-1 网站建设
法律声明 | 隐私声明 |
请您留言