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切割·打孔
工艺介绍
切割有时也叫“划片”,切割的目的是将整个晶圆上每一个独立的IC/MEMS通过激光或者高速旋转的金刚石刀片切割开来,以便在后续的封装中对单个IC/MEMS进行粘贴、键合等操作。
185 0512 2288
工艺能力
离子注入:
B,P,F,Al,N,Ar,H,He,Si 等
高温氧化:
1150℃
高温扩散/退火:
900℃-1100℃
快速退火:
150℃-1100℃
注入角度:
±11°
晶圆尺寸:
最大6寸
配套设备:
快速退火炉,高温氧化扩散炉,高温退火炉
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