苏州晶溯微纳科技有限公司
切割·打孔
  • 工艺介绍
    切割有时也叫“划片”,切割的目的是将整个晶圆上每一个独立的IC/MEMS通过激光或者高速旋转的金刚石刀片切割开来,以便在后续的封装中对单个IC/MEMS进行粘贴、键合等操作。
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切割·打孔
切割·打孔
切割·打孔
工艺能力
  • 离子注入:B,P,F,Al,N,Ar,H,He,Si 等
    高温氧化:1150℃
    高温扩散/退火:900℃-1100℃
    快速退火:150℃-1100℃
    注入角度:±11°
    晶圆尺寸:最大6寸
    配套设备:快速退火炉,高温氧化扩散炉,高温退火炉
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