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苏州晶溯微纳科技有限公司
刻蚀
  • 工艺介绍
    刻蚀是半导体制造工艺、微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤，指的是运用化学或物理手段，有针对性地从晶圆表面去除不必要材料的过程。这一过程涵盖了溶液腐蚀、反应离子作用以及其他机械处理方式，是对各类材料剥离、清除操作的统称。
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刻蚀
刻蚀
工艺能力
  • 湿法腐蚀
    酸性溶液：HCL,HF,H3PO4,HNO₃等；
    碱性溶液：KOH，TMAH，NH₃·H2O,
    腐蚀范围：SI，SiO₂，SIN各类金属材料
  • 干法刻蚀
    离子束刻蚀（IBE）：纯物理轰击刻蚀，可刻蚀大部分材料，如金属，金属氧化物，金属氮化物等
    深硅刻蚀（DRIE）：主要刻蚀硅材料，光刻胶选择比1:100，深宽比：1:15
    反应离子刻蚀（RIE）：主要刻蚀Si，SiO₂，SiN，PI胶等材料等
    聚焦离子束刻蚀 （FIB）：可对材料和 器件进行刻蚀、沉积、 掺杂等微纳加工
    电感耦合（ICP）等离子刻蚀：刻蚀III-V族材料，GaN，GaAs,，Ga₂O₃，InP等材料； 样品尺寸，八寸向下兼容，以及各种不规则样品
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