MEMS加工 - 苏州晶溯微纳科技有限公司

光刻

工艺介绍

光刻工艺是半导体器件制造中的核心步骤，它利用曝光和显影技术在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到衬底上。随着半导体技术的不断发展，光刻工艺精度也在不断进步。

刻蚀

工艺介绍

刻蚀是半导体制造工艺、微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤，指的是运用化学或物理手段，有针对性地从晶圆表面去除不必要材料的过程。这一过程涵盖了溶液腐蚀、反应离子作用以及其他机械处理方式，是对各类材料剥离、清除操作的统称。

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镀膜

工艺介绍

镀膜作为半导体制造领域中一种极为关键的表面处理工艺，通常在高真空环境下开展作业。在此环境中，特定的金属或非金属材料会被转化为气相形态，随后均匀地沉积于基底材料表面，进而形成一层极为致密且均匀的薄膜。这层薄膜的质量优劣，对于半导体器件的功能构建与性能表现起着决定性作用，是确保半导体器件能够稳定、高效运行的核心要素之一。

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键合

工艺介绍

键合，是一项极为关键的技术，它将两片表面洁净且达到原子级平整度的同质或异质半导体材料，先进行表面清洗以及活化处理，随后在特定条件下实现直接结合。该过程借助范德华力、分子力甚至原子力，使晶片牢固地键合为一个整体。在 MEMS（微机电系统）工序中，键合占据着重要地位，是不可或缺的关键步骤之一。选择最为适配的键合工艺，对于确保器件具备良好的机械稳定性、优异的密封性，以及使器件功能充分满足设计要求起着决定性作用。

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外延·掺杂

工艺介绍

外延一般是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，新淀积的这层称为外延层。掺杂工艺是向本征半导体材料中引入特定杂质原子，从而改变目标的物理、化学或电学特性。通过精确控制掺杂的种类、浓度和分布，可将半导体转变为 N 型（电子为多数载流子）或 P 型（空穴为多数载流子），进而构建各种半导体器件。

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切割·打孔

工艺介绍

切割有时也叫“划片”，切割的目的是将整个晶圆上每一个独立的IC/MEMS通过激光或者高速旋转的金刚石刀片切割开来，以便在后续的封装中对单个IC／MEMS进行粘贴、键合等操作。

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CMP减薄·抛光

工艺介绍

通常在晶片封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度，这一工艺过程称之为晶片减薄。
抛光是指利用机械、化学或电化学的作用，使晶圆等工件表面粗糙度降低，以获得光亮、平整表面的加工方法。是利用抛光工具和磨料颗粒或其他抛光介质对工件表面进行的修饰加工。

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