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苏州晶溯微纳科技有限公司
CMP减薄·抛光
  • 工艺介绍
    通常在晶片封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度，这一工艺过程称之为晶片减薄。
    抛光是指利用机械、化学或电化学的作用，使晶圆等工件表面粗糙度降低，以获得光亮、平整表面的加工方法。是利用抛光工具和磨料颗粒或其他抛光介质对工 件表面进行的修饰加工。
185 0512 2288
CMP减薄·抛光
CMP减薄·抛光
工艺能力
  • 减薄工艺：Si，玻璃，石英，GaN，GaAs,，Ga2O3，InP，Ge，蓝宝石，陶瓷等，均匀性：±2um
    抛光工艺：Si，玻璃，石英，GaN，GaAs,，Ga2O3，InP，Ge，蓝宝石，陶瓷等，表面粗糙度： 1-100nm
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