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苏州晶溯微纳科技有限公司
光刻
Photolithography
  • 工艺介绍
    光刻工艺是半导体器件制造中的核心步骤，它利用曝光和显影技术在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到衬底上。随着半导体技术的不断发展，光刻工艺精度也在不断进步。
  • 应用材料
    硅片，玻璃，蓝宝石，柔性材料等
185 0512 2288
光刻
光刻
光刻
工艺能力
  • 接触式光刻
    最小线宽尺寸：1um，套刻精度±500nm
    样品尺寸：8寸以下不规则样品，2/4/6/8寸晶圆
  • 步进式光刻
    最小线宽尺寸：400nm，套刻精度±100nm，曝光场范围20*20mm
    样品尺寸：2/4/6/8寸晶圆
  • 电子束光刻
    最小线宽尺寸：10nm，套刻精度±20nm
    样品尺寸：2/4/6寸晶圆，不规则小片
  • 双面对准光刻
    最小图形尺寸：1μm
    正面套刻精度：±500nm
    背面套刻精度：±500nm
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